CZ-Siliziumwafer

Hochwertiger Wafer für die Halbleiterindustrie

Material: Czochralski-gewachsener Siliziumkristall – CZ Si

Prozess: Schneiden und einseitiges Polieren oder doppelseitiges Polieren

Abmessungen: von Durchmesser 1″ bis 12″ (25,4 mm bis 304,8 mm)

Dicke: 25 µm bis 1 mm

Form: rund mit flachem Schnitt. Kann individuell gewürfelt werden.

Typen: P-Typ, N-Typ, halbisolierend

Oberflächenqualität: Ra besser als 0,2 nm

Oberflächenbeschichtung: Nitridfilm, Oxidfilm oder Metallbeschichtung (Au, Ag, Pr, Cu, Ti, Ni..)

Ausrichtung: <100>, <111>, <110>

Spezifischer Widerstand: 1,5 mOhm.cm bis 300 Ohm.cm

Verwendung: Halbleiterindustrie