FZ Siliziumwafer

Hochreiner Si-Wafer für die Halbleiterindustrie

Material: Mit der Float-Zone-Methode gewachsener Siliziumkristall – FZ Si

Prozess: Schneiden und einseitiges Polieren oder doppelseitiges Polieren

Abmessungen: von Durchmesser 1″ bis 12″ (25,4 mm bis 304,8 mm)

Dicke: 25 µm bis 1 mm

Form: rund mit flachem Schnitt. Kann individuell gewürfelt werden.

Typen: P-Typ, N-Typ, halbisolierend

Oberflächenqualität: Ra besser als 0,2 nm

Oberflächenbeschichtung: Nitridfilm, Oxidfilm oder Metallbeschichtung (Au, Ag, Pr, Cu, Ti, Ni..)

Ausrichtung: <100>, <111>, <110>

TTV: weniger als 10 µm oder weniger als 5 µm oder weniger als 3 µm

Bogen: besser als 20 µm für Wafer bis 5″, besser als 50 µm für 12″ Wafer

Spezifischer Widerstand: 1 Ohm.cm bis 100.000 Ohm.cm

Verwendung: Halbleiterindustrie