Wafer silicium 4″

Wafer de silicium de première qualité, polies sur une face

Détails du produit

Silicium, orientation CZ <100>, type P

Croissance, découpe, polissage, nettoyage par ultrasons et conditionnement d’un lingot de cristal Si CZ

La fabrication est réalisée en salle blanche afin de garantir un environnement exempt de poussière.

Diamètre : 100 mm (4 pouces) ± 0,5 mm

Épaisseur : 525 µm ± 25 µm

Plat et rond avec une coupe droite

TTV : < 10 µm

BOW : < 40 µm

Résistivité : 8-12 Ω·cm

Aucun

Gravure laser classe 100

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