wafer de silicium FZ

Wafer Si de haute pureté pour l’industrie des semi-conducteurs

Matériau : Cristal de silicium fabriqué selon la méthode Float Zone – FZ Si

Processus : découpe et polissage monoface ou polissage double face

Dimensions : du diamètre 1″ à 12″ (25,4 mm à 304,8 mm)

Epaisseur : 25µm à 1mm

Forme : ronde avec un méplat. Peut être découpé en dés à dimensions.

Types : Type P, Type N, Semi-isolant

Qualité de surface : Ra meilleur que 0,2 nm

Revêtement de surface : Film de nitrure, film d’oxyde ou revêtement métallique (Au, Ag, Pr, Cu, Ti, Ni..)

Orientation : <100>, <111>, <110>

TTV : moins de 10 µm ou moins de 5 µm ou moins de 3 µm

Bow : mieux que 20 µm pour les wafers jusqu’à 5″, mieux que 50 µm pour les wafers de 12″

Résistivité : 1 Ohm.cm à 100 000 Ohm.cm

Utilisation : industrie des semi-conducteurs de haute performance