4-Zoll-Siliziumwafer

Prime Wafer aus Si, einseitig poliert

Teildetails

Material:

Silizium, CZ-Orientierung <100>, Typ P

Herstellungsprozess:

Züchtung von Si-CZ-Kristallblöcken / Schneiden / Polieren / Ultraschallreinigung / Verpackung

Die Herstellung erfolgt in einem Reinraum, um absolute Staubfreiheit zu gewährleisten.

Abmessungen:

Durchmesser: 100 mm (4 Zoll) ± 0,5 mm

Dicke: 525 µm (± 25 µm)

Form:

Flachrund mit flachem Schnitt

Spezifikationen:

TTV: besser als 10 µm

BOW: besser als 40 µm

Widerstand: 8–12 Ω·cm

Optische Behandlung:

Keine

Lasergravur Klasse 100

Anwendung:

Laserforschung