Wafer de silicium de type N
Plaquette de silicium dopé N, polie sur les deux faces
Détails du composant
Matière :
Silicium de type N à haute résistivité, cultivé par la méthode FZ et dopé à l’azote
Résistivité : 10 000 Ω·cm
Orientation : <111>
Processus de fabrication :
- Croissance cristalline
- Décodage en plaques minces
- Polissage double face
- Découpe
Dimensions :
10,5 mm × 10,5 mm × 0,5 mm (500 µm) – Dimensions sur mesure.
Forme :
Plaque carrée mince
Traitement optique :
Aucun
Utilisation :
Fenêtre infrarouge pour la protection du capteur sur dispositif de sécurité de cuisinière.
N’hésitez pas à consulter notre guide sur l’optique infrarouge.
