N-Siliziumwafer
N-dotierte Silizium-Dünnplatte, beidseitig poliert
Teildetails
Material:
Hochohmiges N-Silizium, FZ-gewachsen, mit Stickstoff dotiert
Widerstand: 10.000 Ω·cm
Orientierung: <111>
Herstellungsprozess:
- Kristallzüchtung
- Zuschneiden in dünne Platten
- Beidseitiges Polieren
- Vereinzeln
Abmessungen:
10,5 mm x 10,5 mm x 0,5 mm (500 µm) – Kundenspezifische Abmessungen.
Form:
Quadratische dünne Platte
Optische Behandlung:
Keine
Anwendung:
Infrarotfenster zum Schutz der Sensoren von Sicherheitsvorrichtungen an Herden.
Lesen Sie gerne unseren Leitfaden zur IR-Optik.
