Wafer de silicium CZ

Wafer de haute qualité pour l’industrie des semi-conducteurs

Matière : Cristal de silicium cultivé selon méthode Czochralski – CZ Si

Processus : découpe et polissage monoface ou polissage double face

Dimensions : du diamètre 1″ à 12″ (25,4 mm à 304,8 mm)

Epaisseur : 25µm à 1mm

Forme : ronde avec un méplat. Peut être découpé en dés sur demande.

Types : Type P, Type N, Semi-isolant

Qualité de surface : Ra meilleur que 0,2 nm

Revêtement de surface : Film de nitrure, film d’oxyde ou revêtement métallique (Au, Ag, Pr, Cu, Ti, Ni..)

Orientation : <100>, <111>, <110>

TTV : 3 qualités :  moins que 10, moins que 5 ou moins que 3

Bow : mieux que 20µm jusqu’à 5″,  mieux que 50µm à 12″

Résistivité : 1,5 mOhm.cm à 300 Ohm.cm

Utilisation : industrie des semi-conducteurs