HRFZ-Siliziumwafer

Hochohmiger Siliziumwafer

Teildetails

Material:

HRFZ Si (Hochohmiges, FZ-gewachsenes Silizium) Erstklassige Qualität, undotiert

Orientierung: <100>

Herstellungsprozess:

Feinschliff des FZ-gewachsenen Siliziumkristalls, beidseitiges Polieren, Reinraumverpackung.

Abmessungen:

D100 mm ± 0,1 mm

Dicke: 3 mm

Form:

Runde, dünne Platte

Spezifikationen:

Rechtwinkligkeit: besser als 0,02 mm

Parallelität: besser als 0,02 mm

TTV: 3 µm

Spezifischer elektrischer Widerstand: höher als 10.000 Ω·cm

Optische Behandlung:

Keine

Anwendung:

Online-Messgerät. HRFZ bietet eine sehr gute Transmission im IR- und THz-Spektrum. Das Bauteil wird im Bereich von 1000 nm bis 6000 nm eingesetzt.