Substrat de silicium

Plaque de silicium de 2 pouces (5 mm), épaisseur 5 mm

Détails du composant

Matière :

Silicium non dopé

Orientation : 100°

Procédé de fabrication :

Croissance cristalline, découpe et polissage d’une face.

Dimensions :

Diamètre : 50,8 mm ± 0,1 mm ; épaisseur : 5 mm ± 0,1 mm

Spécifications :

TTV : inférieure à 10 µm

Flèche : inférieure à 30 µm

Qualité de surface : 60/40 s&d

Forme :

Disque plat avec un marquage en biseau

Traitement optique :

Aucun

Utilisation :

Substrat pour applications de recherche. Excellente transmission dans les spectres SWIR et MID-IR.